RPS Power Monitor Application
1. ParticleによるWafer保護
CVD ToolはChamber Cleanの為にRemote Plasma GeneratorにNF3 Gasを使用している。しかし,大体のRPSは実際の消尽PowerをMonitor上に表すことが。つまり,RPS性能低下による非正常的な出力Powerによって発生する不適切なChamber Clean後に工程が進行されParticleによるDamageを肉眼またはWafer Reject可否判別する前の段階では確認が不可能である。
RPM(RPS Power Monitor)はRPS性能低下によるProcessのDamageを防ぐ為にRPSのPower値をリアルタイムで管理することによって不安全なClean以後に進行される工程事故を事前に防ぐことができる
1. ParticleによるWafer保護
CVD ToolはChamber Cleanの為にRemote Plasma GeneratorにNF3 Gasを使用している。しかし,大体のRPSは実際の消尽PowerをMonitor上に表すことが。つまり,RPS性能低下による非正常的な出力Powerによって発生する不適切なChamber Clean後に工程が進行されParticleによるDamageを肉眼またはWafer Reject可否判別する前の段階では確認が不可能である。
RPM(RPS Power Monitor)はRPS性能低下によるProcessのDamageを防ぐ為にRPSのPower値をリアルタイムで管理することによって不安全なClean以後に進行される工程事故を事前に防ぐことができる
2. 工程時間改善
RPSはNF3 Gas量, 圧力 , 温度によって出力Power値をAuto Controlする。
しかし，大部分のRPSはPower値が表示されない為，各お客様ごとの最適なRecipe管理が不可能である。
RPMを使用してRPSのMax Powerと実際Power消費量が少ない場合に適正量のNF3 Flow量を増加させることでRPSのPower効率を高め，Chamber Clean時に必要なF Radicalの生成を増やしてClean Timeを改善し，全体的なProcess Timeを減らすことができる。
最近，大部分のFABではCleanjin Timeを短くする為にRPSを少ない容量から大きい容量に交換もしくはNF3 Flow量を増加させている。
RPMを装着する際には装着されているRPSのPower値を測定してRPS容量交換無く既存のRPSの最適なPower Levelを見つけ維持し，それと同時にNF3 Flow量を増加させCleaning Timeを短くすることができる。
RPSはNF3 Gas量, 圧力 , 温度によって出力Power値をAuto Controlする。
しかし，大部分のRPSはPower値が表示されない為，各お客様ごとの最適なRecipe管理が不可能である。
RPMを使用してRPSのMax Powerと実際Power消費量が少ない場合に適正量のNF3 Flow量を増加させることでRPSのPower効率を高め，Chamber Clean時に必要なF Radicalの生成を増やしてClean Timeを改善し，全体的なProcess Timeを減らすことができる。
最近，大部分のFABではCleanjin Timeを短くする為にRPSを少ない容量から大きい容量に交換もしくはNF3 Flow量を増加させている。
RPMを装着する際には装着されているRPSのPower値を測定してRPS容量交換無く既存のRPSの最適なPower Levelを見つけ維持し，それと同時にNF3 Flow量を増加させCleaning Timeを短くすることができる。
RPSの出力Powerと解離率
RＰＭ 5kw Power Monitoring
RＰＭ 7kw Power Monitoring
Upgrade後,Overhaulアラーム発生後,Plasma on Fail原因
Systems Sequence
Mechanical Configuration
Model Configuration
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